TSC 600V-Super-Junction-MOSFETs der NE-Serie  

Neu in unserem Portfolio sind die 600V-Super-Junction-MOSFETs der NE-Serie (TSM60NExx) von Taiwan Semiconductor, die zur Verbesserung der Effizienz und Leistungsdichte in Hochspannungsanwendungen entwickelt wurden. Sie integrieren die Super-Junction-Technologie der 4.Generation, die einen außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstand (RDSON) bei einer niedrigen Gate-Ladungskapazität (QG) ermöglicht – damit bieten diese MOSFETs eine ausgezeichnete Schaltleistung und Effizienz. Im Vergleich zu alternativen Optionen erzielt diese neue MOSFET-Version einen höheren Wert in vielen Hochspannungsanwendungen und zugleich eine hohe Gate-Rauschimmunität. 

Je nach Typ reicht der maximale Durchlasswiderstand von 0,069 Ohm bis zu 0,285 Ohm, die Gate-Ladungskapazität bei 10V von 22 bis 114, und die Sperrverzugsladung (Qrr) ist um 11% niedriger. Weitere Features sind ein Drain-Strom (ID) von 11 bis zu 61 A (je nach Typ) und eine Verlustleistung (PD) von typabhängig 56 bis zu 431W. Alle Typen sind bis zu einem Temperaturbereich von 150°C einsetzbar. Mit einer um 30% höheren (FOM / Figure-of-Merit) setzt die NE-Serie neue Maßstäbe und ermöglicht es, kleinere und effizientere Systeme zu bauen. 

Zu den Zielanwendungen der NE-Serie (TSM60NExx) von Taiwan Semiconductor zählen Schaltnetzteile, Server-Stromversorgungen, Hochvolt-Motorantriebe, USV-Systeme und Beleuchtungssteuerungen.