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Herstellergehäuse
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(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand ...
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(Id) Continuous Drain Current
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(Pd) Verlustleistung
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(Uds) Drain-Source Spannung max.
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(Ugs) Gate-Source Spannung
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| Auswahl anzeigen | Abbildung | Artikel-Nr. | Indiv. Artikel-Nr. | Hersteller | Preis | Verfügbarkeit | Menge | Serie | Datenblatt | RoHS | Typ | Hersteller | Polung | Anzahl Kanäle | Montageart | Herstellergehäuse | (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max. | (Id) Continuous Drain Current | (Pd) Verlustleistung | (Uds) Drain-Source Spannung max. | (Ugs) Gate-Source Spannung | (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung | Verpackung | Betriebstemperatur, min. | Betriebstemperatur, max. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
01 |  | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 22 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | N-Kanal | 1.0 | Chassisbefestigung | Y3-Li | 0.076 mOhm | 85 A | 900 V | 20 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||||||
02 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM120D12P2C005(BSM120D12P2C005) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 134A 935W 1.800mOhm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | C-Pack | 1800.0 mOhm | 134 A | 935.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
03 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM080D12P2C008(BSM080D12P2C008) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 80A 600W 3.000mOhm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 4 Stück o. ein Vielf. von 4) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | C-Pack | 3000.0 mOhm | 80 A | 600.0 W | 1.200 V | 22 V | 1,6 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | |||||
04 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180D12P2C101(BSM180D12P2C101) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 204A 1.360W 1.150mOhm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | C-Pack | 1150.0 mOhm | 204 A | 1360.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
05 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180C12P3C202(BSM180C12P3C202) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 180A 880W 1.400mOhm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 1.0 | Schraubmontage | C-Pack | 1400.0 mOhm | 180 A | 880.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
06 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM300C12P3E201(BSM300C12P3E201) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 300A 1.360W 900mOhm E-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4 Stück Planlieferzeit Ø 30 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 1.0 | Schraubmontage | E-Pack | 900.0 mOhm | 300 A | 1360.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
07 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM600D12P3G001(BSM600D12P3G001) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 576A 2.450W 1.400mOhm G-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | G-Pack | 1400.0 mOhm | 576 A | 2450.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
08 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180D12P3C007(BSM180D12P3C007) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 180A 880W 1.400mOhm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | C-Pack | 1400.0 mOhm | 180 A | 880.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
09 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180D12P2E002(BSM180D12P2E002) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 204A 1.360W 1.200mOhm E-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 4 Stück o. ein Vielf. von 4) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | E-Pack | 1200.0 mOhm | 204 A | 1360.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
10 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM120C12P2C201(BSM120C12P2C201) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 134A 935W 1.800mOhm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 9 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 1.0 | Schraubmontage | C-Pack | 1800.0 mOhm | 134 A | 935.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
11 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM300D12P2E001(BSM300D12P2E001) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 300A 1.875W 1.600mOhm E-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | N-Kanal | 2.0 | Schraubmontage | E-Pack | 1600.0 mOhm | 300 A | 1875.0 W | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C |