IPP60R160C6XKSA1
Infineon THT Power MOSFET N-Kanal 23,8A 176W 0,16Ohm TO-220
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Aktiv
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Steckbrief
- Artikelkategorie
- MOSFETs Einfach
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 23,8 A
- (Pd) Verlustleistung
- 176 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 0,16 Ohm
- Herstellergehäuse
- TO-220
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 600 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 600 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 23,8 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 23,8 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 20 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 176 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 0,16 Ohm
- (Qg) Gateladung