IRF7343TRPBF
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal+P-Kanal 4,7A/-3,4A 2,0W 0,17Ohm SO-8
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Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
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• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 4000 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 50 Stück oder ein Vielfaches von 50)
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Steckbrief
- Artikelkategorie
- MOSFETs Zweifach
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal+P-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 4,7 A / -3,4 A
- (Pd) Verlustleistung
- 2 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 0,17 Ohm
- Herstellergehäuse
- SO-8
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q2
- -55 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 55 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 55 V / -55 V
- (Id) Continuous Drain Current Q2
- -3,4 A
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 4,7 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 4,7 A / -3,4 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q2
- 20 V
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 20 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V / 20 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal+P-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 2 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 0,17 Ohm
- (Qg) Gateladung