BSM600D12P3G001
Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 576A 2.450W 1,4Ohm G-Pack
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Aktiv
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Datenblatt
ECAD Modell
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Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
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(mind. 12 Stück oder ein Vielfaches von 12)
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Steckbrief
- Artikelkategorie
- MOSFET Modul
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 576 A
- (Pd) Verlustleistung
- 2.450 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 1,4 Ohm
- Herstellergehäuse
- G-Pack
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -40 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 1.200 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 1.200 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 576 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 576 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 22 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 22 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 2.450 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 1,4 Ohm
- (Qg) Gateladung