FS150R12PT4BOSA1
Infineon IGBT Dioden Modul 1.200V 200A Modul
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Lieferrückstand
6 Stück
6 Stück
Planlieferzeit
Ø 40 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar auf Bestellung
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 6 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 6 Stück oder ein Vielfaches von 6)
Alle Preise netto zzgl. MwSt. Bitte beachten Sie, dass wir nicht an private Endverbraucher liefern.
Steckbrief
- Artikelkategorie
- IGBT-Module
- (Uces) Kollek.-Emitter-Durchbruchsp. max.
- 1.200 V
- (IC) Kollektor Current
- 200 A
- (td(on)) Einschaltverzögerungszeit
- 140 ns
- (td(off)) Ausschaltverzögerungszeit
- 320 ns
- Herstellergehäuse
- Modul
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -40 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
- Lagertemperatur, min.
- -40 °C
- Lagertemperatur, max.
- 125 °C
Elektrische Eigenschaften
- (IC) Kollektor Current
- 200 A
- (Uces) Kollek.-Emitter-Durchbruchsp. max.
- 1.200 V
- (ICpuls) Gepulster Kollektor Strom
- 300 A
- (td(on)) Einschaltverzögerungszeit
- 140 ns
- (td(off)) Ausschaltverzögerungszeit
- 320 ns
- (UGE(th)) Gate Emitter Schwellenspa.
- 5,8 V