SI4948BEY-T1-GE3
Vishay SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal 3,1A 2,4W 150mOhm SO-8
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3.500 Stück auf Lager
Planlieferzeit
Ø 50 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 2500 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 50 Stück oder ein Vielfaches von 50)
Alle Preise netto zzgl. MwSt. Bitte beachten Sie, dass wir nicht an private Endverbraucher liefern.
Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- P-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 3,1 A
3,1 A - (Pd) Verlustleistung
- 2,4 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 150 mOhm
- Herstellergehäuse
- SO-8
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 175 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 175 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q2
- -60 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- -60 V
- -60 V
- (Id) Continuous Drain Current Q2
- 3,1 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 3,1 A
- 3,1 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q2
- 20 V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- 20 V
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- P-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 2,4 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 150 mOhm