IRFPC60PBF

Vishay THT SiC Power MOSFET N-Kanal 16A 280W 400mOhm  TO-247AC

Abbildung ähnlich
Hersteller-Artikel-Nr.
IRFPC60PBF
Schukat-Artikel-Nr.
IRFPC60PBF
Hersteller
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
16 A
16 A
(Pd) Verlustleistung
280 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
400 mOhm 
Herstellergehäuse
TO-247AC
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Vishay
Typ
  • SiC Power MOSFET
Serie
  • IRFPC60
Warengruppe
  • U8386
Verpackung
  • Stange
Montageart
  • THT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • TO-247AC

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 600 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 600 V
  • 600 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 16 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 16 A
  • 16 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 20 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
  • 20 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 280 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 400 mOhm