TSM60NE285CIT C0G

Taiwan Semiconductor THT Power MOSFET N-Kanal 9,5A 56W 285mOhm  ITO-220TL

TSM60NE285CIT C0G
Hersteller-Artikel-Nr.
TSM60NE285CIT C0G
Schukat-Artikel-Nr.
TSM60NE285CIT C0G
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
9,5 A
(Pd) Verlustleistung
56 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
285 mOhm 
Herstellergehäuse
ITO-220TL
RoHS-Konform

Spezifikationen

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Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • TSM60NE_
Warengruppe
  • U8380
Verpackung
  • Stange
Montageart
  • THT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • ITO-220TL

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 600 V
(Id) Continuous Drain Current
  • 9,5 A
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 30 V
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
  • 4,8 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 56 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 285 mOhm 
(Qg) Gateladung
  • 22 nC