TSM2309CX RFG
Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,1A 1,56W 240mOhm SOT-23
Hersteller-Artikel-Nr.
TSM2309CX RFG
Schukat-Artikel-Nr.
TSM2309CX RFG
Hersteller
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Ø 20 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
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• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
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Hersteller-VPE 3000 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
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Menge und Kaufoptionen
(mind. 100 Stück oder ein Vielfaches von 100)
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Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- P-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- -3,1 A
-3,1 A - (Pd) Verlustleistung
- 1,56 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 240 mOhm
- Herstellergehäuse
- SOT-23
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- -60 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- -60 V
- -60 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- -3,1 A
- (Id) Continuous Drain Current
- -3,1 A
- -3,1 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 20 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- 20 V
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- P-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 1,56 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 240 mOhm
- (Qg) Gateladung Q1
- 8,2 nC
- (Qg) Gateladung
- 8,2 nC
- 8,2 nC
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