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TSM2309CX RFG

Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,1A 1,56W 240mOhm  SOT-23

TSM2309CX RFG
Hersteller-Artikel-Nr.
TSM2309CX RFG
Schukat-Artikel-Nr.
TSM2309CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
P-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
-3,1 A
(Pd) Verlustleistung
1,56 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
240 mOhm 
Herstellergehäuse
SOT-23
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • TSM_CX
Warengruppe
  • U8763
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • SOT-23

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • -60 V
(Id) Continuous Drain Current
  • -3,1 A
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • P-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 1,56 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 240 mOhm 
(Qg) Gateladung
  • 8,2 nC

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