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StartseiteProdukteDiskrete HalbleiterTransistorenMOSFETsMOSFETs, EinfachTSG65N_TSG65N068CE RVG

TSG65N068CE RVG

Taiwan Semiconductor SMD/SMT E-mode GaN Transistor N-Kanal 30A 68mOhm  PDFN-88

Abbildung ähnlich
NEU
Hersteller-Artikel-Nr.
TSG65N068CE RVG
Schukat-Artikel-Nr.
TSG65N068CE RVG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
30 A
30 A
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
68 mOhm 
Herstellergehäuse
PDFN-88
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • E-mode GaN Transistor
Serie
  • TSG65N_
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 8
  • 8
Herstellergehäuse
  • PDFN-88

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 650 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 650 V
  • 650 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 30 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 30 A
  • 30 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • -10V to 7V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • -10V to 7V
  • -10V to 7V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 68 mOhm 
(Qg) Gateladung Q1
  • 6,7 nC
(Qg) Gateladung
  • 6,7 nC
  • 6,7 nC