TSF20122C

Taiwan Semiconductor THT Schottky Trench Diode 0,90V 20000mA 210000mA ITO-220AB

TSF20122C
Hersteller-Artikel-Nr.
TSF20122C
Schukat-Artikel-Nr.
TSF20122C
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Steckbrief

(Uf) Durchlassspannung
0,9 V
(If) Durchlassstrom
20.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
210.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
120 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
50.000 nA
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Schottky Trench Diode
Serie
  • TSF20122
Warengruppe
  • V3536
Verpackung
  • Stange
Montageart
  • THT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • ITO-220AB
Konfiguration
  • Dual

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uf) Durchlassspannung
  • 0,9 V
(If) Durchlassstrom
  • 20.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
  • 210.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
  • 120 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
  • 50.000 nA