MBRF10L100CT

Taiwan Semiconductor THT Schottky Diode 0,82V 10000mA 120000mA ITO-220AB

MBRF10L100CT
Hersteller-Artikel-Nr.
MBRF10L100CT
Schukat-Artikel-Nr.
MBRF10L100CT
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Steckbrief

(Uf) Durchlassspannung
0,82 V
(If) Durchlassstrom
10.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
120.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
100 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
20.000 nA
RoHS-Konform

Spezifikationen

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Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Schottky Diode
Serie
  • MBRF_CT
Warengruppe
  • V3838
Verpackung
  • Stange
Montageart
  • THT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • ITO-220AB
Konfiguration
  • Dual

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uf) Durchlassspannung
  • 0,82 V
(If) Durchlassstrom
  • 10.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
  • 120.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
  • 100 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
  • 20.000 nA

Dokumente

PCN_24001rev0_EN.pdf