MBRAD8200H

Taiwan Semiconductor SMD/SMT Schottky Diode 0,95V 8000mA 150000mA ThinDPAK AEC-Q101

MBRAD8200H
Hersteller-Artikel-Nr.
MBRAD8200H
Schukat-Artikel-Nr.
MBRAD8200H
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Aktiv
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Steckbrief

(Uf) Durchlassspannung
0,95 V
(If) Durchlassstrom
8.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
150.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
200 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
10.000 nA
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Schottky Diode
Serie
  • MBRAD_
Warengruppe
  • V3575
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Herstellergehäuse
  • ThinDPAK
Konfiguration
  • Single

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uf) Durchlassspannung
  • 0,95 V
(If) Durchlassstrom
  • 8.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
  • 150.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
  • 200 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
  • 10.000 nA
(Cd) Diodenkapazität
  • 125 pF

Sicherheit/Zertifizierungen

Qualifikation
  • AEC-Q101