ES2GALH

Taiwan Semiconductor Gleichrichter-Diode 400V 1,3V 2.000mA Thin SMA AEC-Q101

ES2GALH
Hersteller-Artikel-Nr.
ES2GALH
Schukat-Artikel-Nr.
ES2GALH
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Aktiv
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Steckbrief

(Uf) Durchlassspannung
1,3 V
(If) Durchlassstrom
2.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
50.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
400 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
1.000 nA
RoHS-Konform

Spezifikationen

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Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Gleichrichterdiode
Serie
  • ES2_ALH
Warengruppe
  • V2672
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Herstellergehäuse
  • Thin SMA
Konfiguration
  • Single

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uf) Durchlassspannung
  • 1,3 V
(If) Durchlassstrom
  • 2.000 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
  • 50.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
  • 400 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
  • 1.000 nA

Sicherheit/Zertifizierungen

Qualifikation
  • AEC-Q101