BAV20 R0G
Taiwan Semiconductor THT Si Standarddiode 1,25V 200mA DO-35
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Nächster Eingang
KW 42/2024
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Planlieferzeit
Ø 23 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
Staffelpreise
Hersteller-VPE 10000 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 1000 Stück oder ein Vielfaches von 1000)
Alle Preise netto zzgl. MwSt. Bitte beachten Sie, dass wir nicht an private Endverbraucher liefern.
Steckbrief
- (Uf) Durchlassspannung
- 1,25 V
- (If) Durchlassstrom
- 200 mA
- Spitzendurchlasstrom, max.
- 4.000 mA
- (Ur) Rückwärts Sperrspannung
- 150 V
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 175 °C
- 175 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 175 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uf) Durchlassspannung
- 1,25 V
- (If) Durchlassstrom
- 200 mA
- Spitzendurchlasstrom, max.
- 4.000 mA
- (Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
- 200 V
- (Ur) Rückwärts Sperrspannung
- 150 V
- (Ir) Rückwärts Sperrstrom
- 100 nA
- (Pd) Verlustleistung
- 0,41 W
- Rückstellzeit
- 50 ns