BAV20 R0G

Taiwan Semiconductor THT Si Standarddiode 200V 1,25V 200mA DO-35

BAV20
Hersteller-Artikel-Nr.
BAV20 R0G
Schukat-Artikel-Nr.
BAV20
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EOL 06.03.2026
Abgekündigt durch Hersteller mit Ersatz
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Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
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Steckbrief

(Uf) Durchlassspannung
1,25 V
(If) Durchlassstrom
200 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
4.000 mA
(Ur) Rückwärts Sperrspannung
150 V
RoHS-Konform

Spezifikationen

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Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Standarddiode
Serie
  • BAV_
Warengruppe
  • V1335
Verpackung
  • Gurt
Montageart
  • THT
Material
  • Si
Herstellergehäuse
  • DO-35
Konfiguration
  • Single

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 175 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 175 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uf) Durchlassspannung
  • 1,25 V
(If) Durchlassstrom
  • 200 mA
Spitzendurchlasstrom, max.
  • 4.000 mA
(Urrm) Spit.-Rückstrom-Rückwärtsspa. max.
  • 200 V
(Ur) Rückwärts Sperrspannung
  • 150 V
(Ir) Rückwärts Sperrstrom
  • 100 nA
(Pd) Verlustleistung
  • 0,41 W
Rückstellzeit
  • 50 ns

Dokumente

EOL_25001 rev0_EN.pdf