VNB10N07TR-E

STMicroelectronics SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 10A 50W 140mOhm  TO-263 (D2PAK)

VNB10N07TR-E
Hersteller-Artikel-Nr.
VNB10N07TR-E
Schukat-Artikel-Nr.
VNB10N07TR-E
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Steckbrief

Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
10 A
10 A
(Pd) Verlustleistung
50 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
140 mOhm 
Herstellergehäuse
TO-263 (D2PAK)
RoHS-Konform

Spezifikationen

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Allgemein

Hersteller
  • STMicroelectronics
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • VNB10N
Warengruppe
  • U8747
  • U8747
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Gehäuse
  • D2PAK
Herstellergehäuse
  • TO-263 (D2PAK)

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -40 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Id) Continuous Drain Current
  • 10 A
  • 10 A
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 10 A
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 50 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 140 mOhm 

Dokumente

PCN_CRP_24_13125_EN.pdf
PCN_CRP_24_13832_EN.pdf