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STB25N80K5

STMicroelectronics SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 19,5A 250W 260mOhm  TO-263 (D2PAK)

Abbildung ähnlich
Hersteller-Artikel-Nr.
STB25N80K5
Schukat-Artikel-Nr.
STB25N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
19,5 A
19,5 A
(Pd) Verlustleistung
250 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
260 mOhm 
Herstellergehäuse
TO-263 (D2PAK)
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • STMicroelectronics
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • STB25N
Warengruppe
  • U8746
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • TO-263 (D2PAK)

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 800 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 800 V
  • 800 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 19,5 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 19,5 A
  • 19,5 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 30 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 30 V
  • 30 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 250 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 260 mOhm 

Dokumente

PCN_CRP_24_13125_EN.pdf
Herunterladen (pdf, 199 KB)
PCN_CRP_24_13832_EN.pdf
Herunterladen (pdf, 107 KB)