BSM180D12P2C101

Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 204A 1.360W 1.150mOhm  C-Pack

Hersteller-Artikel-Nr.
BSM180D12P2C101
Schukat-Artikel-Nr.
BSM180D12P2C101
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
2
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
204 A
204 A
(Pd) Verlustleistung
1.360 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
1.150 mOhm 
Herstellergehäuse
C-Pack
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Rohm
Typ
  • SiC Power MOSFET Modul
Serie
  • BSM_
Warengruppe
  • U8685
Verpackung
  • Lose
Montageart
  • Schraubmontage
Herstellergehäuse
  • C-Pack

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -40 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -40 °C
Lagertemperatur, max.
  • 125 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 1.200 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 1.200 V
  • 1.200 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 204 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 204 A
  • 204 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 22 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 22 V
  • 22 V
Anzahl Kanäle
  • 2
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 1.360 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 1.150 mOhm