BSM180D12P2C101
Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 204A 1.360W 1.150mOhm C-Pack
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Ø 32 Wochen
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Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
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• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
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Datenblatt
Staffelpreise
Hersteller-VPE 12 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 12 Stück oder ein Vielfaches von 12)
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Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 204 A
204 A - (Pd) Verlustleistung
- 1.360 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 1.150 mOhm
- Herstellergehäuse
- C-Pack
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -40 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
- Lagertemperatur, min.
- -40 °C
- Lagertemperatur, max.
- 125 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 1.200 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 1.200 V
- 1.200 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 204 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 204 A
- 204 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 22 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 22 V
- 22 V
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 1.360 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 1.150 mOhm