RMLV0408EGSB-4S2#AA1

Renesas SRAM Speicher 4,096Mbit 45ns parallel TSOP-32 (II)

Abbildung ähnlich
Hersteller-Artikel-Nr.
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Schukat-Artikel-Nr.
RMLV0408EGSB-4S2
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Steckbrief

Typ
SRAM Speicher
Versorgungsspannung, min.
2,7 V
Versorgungsspannung, max.
3,6 V
RAM Speichergröße
4,096 Mbit
RAM Speicherorganisation
512kx8
Herstellergehäuse
TSOP-32 (II)
Schnittstellen
parallel
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Renesas
Typ
  • SRAM Speicher
Serie
  • RMLV
Warengruppe
  • Y8327
Verpackung
  • Tray
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 32
Herstellergehäuse
  • TSOP-32 (II)

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -40 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 85 °C
Lagertemperatur, min.
  • -65 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

RAM Speichergröße
  • 4,096 Mbit
RAM Speicherorganisation
  • 512kx8
Versorgungsspannung, min.
  • 2,7 V
Versorgungsspannung, max.
  • 3,6 V
Zugriffzeit
  • 45 ns
Versorgungsstrom max.
  • 25 mA
Schnittstellen
  • parallel

Dokumente

PCN_PA230005_EN.pdf