FDC5614P

Onsemi SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3A 1,6W 105mOhm  TSOT-23-6

FDC5614P
Hersteller-Artikel-Nr.
FDC5614P
Schukat-Artikel-Nr.
FDC5614P
Hersteller
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
P-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
-3 A
(Pd) Verlustleistung
1,6 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
105 mOhm 
Herstellergehäuse
TSOT-23-6
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Onsemi
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • FDC
Warengruppe
  • U7765
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 6
Herstellergehäuse
  • TSOT-23-6

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • -60 V
(Id) Continuous Drain Current
  • -3 A
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
  • -1,6 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • P-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 1,6 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 105 mOhm 
(Qg) Gateladung
  • 15 nC