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MOSFETs, Zweifach

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(Qg) Gateladung
Qualifikation
Verpackung
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01
Hersteller-Artikel-Nr.

FDC6561AN

(FDC6561AN)
Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 2,5A 0,96W 152mOhm  TSOT-23
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Onsemi
6.300 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100)
FDC_
Small Signal MOSFET
Onsemi
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
TSOT-23
152.0 mOhm 
30 V
2,5 A
0.96 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
02
Hersteller-Artikel-Nr.

FDC3601N

(FDC3601N)
Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 1A 0,96W 976mOhm  TSOT-23
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Onsemi
2.800 Stück
Planlieferzeit
Ø 55 Wochen
(mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100)
FDC_
Small Signal MOSFET
Onsemi
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
TSOT-23
976.0 mOhm 
100 V
1 A
0.96 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
03
Hersteller-Artikel-Nr.

FDG8850NZ

(FDG8850NZ)
Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,75A 0,36W 600mOhm  SOT-363
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Onsemi
2.200 Stück
Planlieferzeit
Ø 50 Wochen
(mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100)
FDG_
Small Signal MOSFET
Onsemi
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SOT-363
600.0 mOhm 
30 V
0,75 A
0.36 W
12 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
04
Hersteller-Artikel-Nr.

FDG6301N

(FDG6301N)
Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,22A 0,3W 7.000mOhm  SOT-363
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Onsemi
0 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 3000 Stück o. ein Vielf. von 3000)
FDG_
Small Signal MOSFET
Onsemi
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SOT-363
7000.0 mOhm 
25 V
0,22 A
0.3 W
8 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
05
Hersteller-Artikel-Nr.

FDC6420C

(FDC6420C)
Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal/P-Kanal 3A/-2,2A 0,96W 190mOhm  TSOT-23
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Onsemi
1.500 Stück
Planlieferzeit
Ø 120 Wochen
(mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100)
FDC_
Small Signal MOSFET
Onsemi
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
TSOT-23
190.0 mOhm 
20 V / -20 V
3 A / -2,2 A
0.96 W
12 V / 12 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
06
Hersteller-Artikel-Nr.

NDC7002N

(NDC7002N)
Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,51A 0,96W 4.000mOhm  TSOT-23
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Onsemi
4.400 Stück
Planlieferzeit
Ø 70 Wochen
(mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100)
NDC_
Small Signal MOSFET
Onsemi
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
TSOT-23
4000.0 mOhm 
50 V
0,51 A
0.96 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
07
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7341TRPBFXTMA1

(IRF7341PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 4,7A 2,0W 65mOhm  SO-8
TOP
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
35.150 Stück
Nächster Eingang
KW 45/2024
(15.900 Stück)
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
65.0 mOhm 
55 V
4,7 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
08
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7303TRPBF

(IRF7303PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 4,9A 2,0W 80mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
7.100 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
80.0 mOhm 
30 V
4,9 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
09
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7105TRPBF

(IRF7105PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 3,5A/-2,3A 2,0W 400mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
7.250 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
400.0 mOhm 
25 V / -25 V
3,5 A / -2,3 A
2.0 W
20 V / 20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
10
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7306TRPBF

(IRF7306PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,6A 2,0W 160mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
3.450 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
160.0 mOhm 
-30 V
-3,6 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
11
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7309TRPBF

(IRF7309PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 4A/-3A 1,4W 160mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
3.250 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
160.0 mOhm 
30 V / -30 V
4 A / -3 A
1.4 W
20 V / 20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
12
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7313TRPBF

(IRF7313PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 6,5A 2,0W 46mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
8.600 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
46.0 mOhm 
30 V
6,5 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
13
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7328TRPBF

(IRF7328PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -8A 2,0W 32mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
0 Stück
Planlieferzeit
Ø 50 Wochen
(mind. 4000 Stück o. ein Vielf. von 4000)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
32.0 mOhm 
-30 V
-8 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
14
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7324TRPBF

(IRF7324PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -9A 2,0W 26mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
6.900 Stück
Planlieferzeit
Ø 12 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
26.0 mOhm 
-20 V
-9 A
2.0 W
12 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
15
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7342TRPBF

(IRF7342PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,4A 2,0W 170mOhm  SO-8
TOP
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
13.850 Stück
Nächster Eingang
KW 06/2025
(4.000 Stück)
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
170.0 mOhm 
-55 V
-3,4 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
16
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7319TRPBF

(IRF7319PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 6,5A/4,9A 2,0W 98mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
2.950 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
98.0 mOhm 
30 V / -30 V
6,5 A / 4,9 A
2.0 W
20 V / 20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
17
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7343TRPBF

(IRF7343PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 4,7A/-3,4A 2,0W 170mOhm  SO-8
TOP
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
37.050 Stück
Planlieferzeit
Ø 50 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
170.0 mOhm 
55 V / -55 V
4,7 A / -3,4 A
2.0 W
20 V / 20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
18
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7389TRPBF

(IRF7389PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 7,3A/-5,3A 2,5W 98mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
1.650 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
98.0 mOhm 
30 V / -30 V
7,3 A / -5,3 A
2.5 W
20 V / 20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
19
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7316TRPBF

(IRF7316PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -4,9A 2,0W 98mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
8.200 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
98.0 mOhm 
-30 V
-4,9 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
20
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7380TRPBF

(IRF7380PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 3,6A 2,0W 73mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
4.200 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
73.0 mOhm 
80 V
3,6 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
21
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7103TRPBF

(IRF7103PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 3A 2,0W 200mOhm  SO-8
TOP
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
26.850 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
200.0 mOhm 
50 V
3 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
22
Hersteller-Artikel-Nr.

IRF7104TRPBF

(IRF7104PBF-GURT)
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -2,3A 2,0W 400mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Infineon
4.800 Stück
Planlieferzeit
Ø 10 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
IRF_
Power MOSFET
Infineon
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
400.0 mOhm 
-20 V
-2,3 A
2.0 W
12 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
23
Hersteller-Artikel-Nr.

SI4532CDY-T1-GE3

(SI4532CDY-GE3)
Vishay SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 6A/-4,3A 1,78W 140mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Vishay
2.200 Stück
Planlieferzeit
Ø 100 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
SI_Y-GE3
Power MOSFET
Vishay
N-Kanal/P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
140.0 mOhm 
30 V / -30 V
6 A / -4,3 A
1.78 W
20 V / 20 V
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
24
Hersteller-Artikel-Nr.

SI9933CDY-T1-GE3

(SI9933CDY-GE3)
Vishay SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -4A 2,0W 94mOhm  SO-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Vishay
1.750 Stück
Planlieferzeit
Ø 50 Wochen
(mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50)
SI_Y-GE3
Power MOSFET
Vishay
P-Kanal
2.0
SMD/SMT
SO-8
94.0 mOhm 
-20 V
-4 A
2.0 W
20 V
Rolle
-55.0 °C
175.0 °C
25
Hersteller-Artikel-Nr.

TSM300NB06DCR RLG

(TSM300NB06DCR)
Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 25A 40W 42,3mOhm  PDFN56-8
Kunden-Artikel-Nr.
Kunden-Projekt-Nr.
Taiwan Semiconductor
2.475 Stück
Planlieferzeit
Ø 29 Wochen
(mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25)
TSM_CR(H)
Power MOSFET
Taiwan Semiconductor
N-Kanal
2.0
SMD/SMT
PDFN56-8
42.3 mOhm 
60 V
25 A
40.0 W
20 V
17 nC
Rolle
-55.0 °C
150.0 °C
1 2