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TQM2N7002KDCU6 RFG

Taiwan Semiconductor SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,33A 0,337W 1.600mOhm  SOT-363 AEC-Q101

Abbildung ähnlich
NEU
Hersteller-Artikel-Nr.
TQM2N7002KDCU6 RFG
Schukat-Artikel-Nr.
TQM2N7002KDCU6 RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
2
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
0,33 A
0,33 A
(Pd) Verlustleistung
0,337 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
1.600 mOhm 
Herstellergehäuse
SOT-363
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Small Signal MOSFET
Serie
  • TQM2N7002_
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 6
Herstellergehäuse
  • SOT-363

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 60 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 60 V
  • 60 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 0,33 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 0,33 A
  • 0,33 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 20 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
  • 20 V
Anzahl Kanäle
  • 2
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 0,337 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 1.600 mOhm 
(Qg) Gateladung Q1
  • 0,9 nC
(Qg) Gateladung
  • 0,9 nC
  • 0,9 nC

Sicherheit/Zertifizierungen

Qualifikation
  • AEC-Q101