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StartseiteProdukteDiskrete HalbleiterTransistorenMOSFETsMOSFETs, ZweifachTQM250NB_TQM250NB06DCR RLG

TQM250NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 30A 58W 25mOhm  PDFN56U Dual AEC-Q101

Abbildung ähnlich
Hersteller-Artikel-Nr.
TQM250NB06DCR RLG
Schukat-Artikel-Nr.
TQM250NB06DCR RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
2
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
30 A
30 A
(Pd) Verlustleistung
58 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
25 mOhm 
Herstellergehäuse
PDFN56U Dual
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Taiwan Semiconductor
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • TQM250NB_
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 8
Herstellergehäuse
  • PDFN56U Dual

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 175 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 60 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 60 V
  • 60 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 30 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 30 A
  • 30 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 20 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
  • 20 V
Anzahl Kanäle
  • 2
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 58 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 25 mOhm 
(Qg) Gateladung Q1
  • 24 nC
(Qg) Gateladung
  • 24 nC
  • 24 nC

Sicherheit/Zertifizierungen

Qualifikation
  • AEC-Q101