TQM076NH04DCR RLG
Taiwan Semiconductor SMD/SMT PerFET Power MOSFET N-Kanal 40A 55,6W 7,6mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101
Hersteller-Artikel-Nr.
TQM076NH04DCR RLG
Schukat-Artikel-Nr.
TQM076NH04DCR RLG
Hersteller
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5.000 Stück auf Lager
Planlieferzeit
Ø 36 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 2500 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 25 Stück oder ein Vielfaches von 25)
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Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 40 A
40 A - (Pd) Verlustleistung
- 55,6 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 7,6 mOhm
- Herstellergehäuse
- PDFN56U Dual
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 175 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 175 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 40 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 40 V
- 40 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 40 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 40 A
- 40 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 20 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- 20 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung Q1
- 3 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
- 3 V
- 3 V
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 55,6 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 7,6 mOhm
- (Qg) Gateladung Q1
- 19 nC
- (Qg) Gateladung
- 19 nC
- 19 nC
Sicherheit/Zertifizierungen
- Qualifikation
- AEC-Q101
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