IRLHS6376TRPBF
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 6,6W 82mOhm PQFN-6
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3.950 Stück auf Lager
Planlieferzeit
Ø 14 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 4000 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 50 Stück oder ein Vielfaches von 50)
Alle Preise netto zzgl. MwSt. Bitte beachten Sie, dass wir nicht an private Endverbraucher liefern.
Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 6,6 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 82 mOhm
- Herstellergehäuse
- PQFN-6
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 30 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 30 V
- 30 V
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 12 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 12 V
- 12 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung Q1
- 0,8 V
- (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
- 0,8 V
- 0,8 V
- Anzahl Kanäle
- 2
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 6,6 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 82 mOhm
- (Qg) Gateladung Q1
- 2,8 nC
- (Qg) Gateladung
- 2,8 nC
- 2,8 nC