SI4477DY-T1-GE3
Vishay SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -26,6A 6,6W 10,5mOhm SO-8
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Planlieferzeit
Ø 50 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 2500 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 25 Stück oder ein Vielfaches von 25)
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Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- P-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- -26,6 A
-26,6 A - (Pd) Verlustleistung
- 6,6 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 10,5 mOhm
- Herstellergehäuse
- SO-8
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- -20 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- -20 V
- -20 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- -26,6 A
- (Id) Continuous Drain Current
- -26,6 A
- -26,6 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 12 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 12 V
- 12 V
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- P-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 6,6 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 10,5 mOhm