STB18NF25
STMicroelectronics SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 17A 110W 165mOhm TO-263 (D2PAK)
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Aktiv
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Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
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(mind. 1000 Stück oder ein Vielfaches von 1000)
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Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 17 A
17 A - (Pd) Verlustleistung
- 110 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 165 mOhm
- Herstellergehäuse
- TO-263 (D2PAK)
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 175 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 250 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 250 V
- 250 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 17 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 17 A
- 17 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 20 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- 20 V
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 110 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 165 mOhm