SCT2450KEC
Rohm THT SiC Power MOSFET N-Kanal 10A 85W 585mOhm TO-247
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Ø 34 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 30 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 1 Stück oder ein Vielfaches von 1)
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Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 10 A
10 A - (Pd) Verlustleistung
- 85 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 585 mOhm
- Herstellergehäuse
- TO-247
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- 0 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 175 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 175 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- 1.200 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 1.200 V
- 1.200 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- 10 A
- (Id) Continuous Drain Current
- 10 A
- 10 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 22 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 22 V
- 22 V
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 85 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 585 mOhm