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StartseiteProdukteDiskrete HalbleiterTransistorenMOSFETsMOSFETs, EinfachISK_NISK024NE2LM5AUSA1

ISK024NE2LM5AUSA1

Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 103A 39W 2,4mOhm  VSON-6

Hersteller-Artikel-Nr.
ISK024NE2LM5AUSA1
Schukat-Artikel-Nr.
ISK024NE2LM5AUSA1
Hersteller
Infineon
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
103 A
103 A
(Pd) Verlustleistung
39 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
2,4 mOhm 
Herstellergehäuse
VSON-6
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Infineon
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • ISK_N
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 6
Herstellergehäuse
  • VSON-6

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 25 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 25 V
  • 25 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 103 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 103 A
  • 103 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 16 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 16 V
  • 16 V
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung Q1
  • 1,6 V
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
  • 1,6 V
  • 1,6 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 39 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 2,4 mOhm 
(Qg) Gateladung Q1
  • 6,5 nC
(Qg) Gateladung
  • 6,5 nC
  • 6,5 nC