IRF4104SPBF

Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 75A 140W 5,5mOhm  TO-263 (D2PAK)

Abbildung ähnlich
Hersteller-Artikel-Nr.
IRF4104SPBF
Schukat-Artikel-Nr.
IRF4104SPBF
Hersteller
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
75 A
75 A
(Pd) Verlustleistung
140 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
5,5 mOhm 
Herstellergehäuse
TO-263 (D2PAK)
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Infineon
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • IRFS_
Verpackung
  • Stange
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • TO-263 (D2PAK)
Hinweis
  • ehemals International Rectifier (IR)

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 175 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 40 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 40 V
  • 40 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 75 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 75 A
  • 75 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 20 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
  • 20 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 140 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 5,5 mOhm