BSP315PH6327XTSA1
Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -1,17A 1,8W 0,8Ohm SOT-223 AEC-Q101
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Aktiv
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Datenblatt
ECAD Modell
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Steckbrief
- Artikelkategorie
- MOSFETs Einfach
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- P-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- -1,17 A
-1,17 A - (Pd) Verlustleistung
- 1,8 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 0,8 Ohm
- Herstellergehäuse
- SOT-223
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur, min.
- -55 °C
- Betriebstemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
- -60 V
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- -60 V
- -60 V
- (Id) Continuous Drain Current Q1
- -1,17 A
- (Id) Continuous Drain Current
- -1,17 A
- -1,17 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung Q1
- 20 V V
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- 20 V
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- P-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 1,8 W
- Drain-Source Widerstand max.
- 0,8 Ohm
Sicherheit/Zertifizierungen
- Qualifikation
- AEC-Q101