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BSM180C12P3C202

Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 180A 880W 1.400mOhm  C-Pack

Hersteller-Artikel-Nr.
BSM180C12P3C202
Schukat-Artikel-Nr.
BSM180C12P3C202
Hersteller
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Planlieferzeit
Ø 32 Wochen
Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen: • Aktiv (grüne Ampel) • NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel) • LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel) • EOL = End of Life (rote Ampel)
Aktiv
Lieferbar (ab Lager)
Ersatz / Nachfolger Alle Artikel der Serie
Datenblatt
ECAD Modell
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Staffelpreise

Hersteller-VPE 12 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück

Menge und Kaufoptionen

(mind. 12 Stück oder ein Vielfaches von 12)
Alle Preise netto zzgl. MwSt. Bitte beachten Sie, dass wir nicht an private Endverbraucher liefern.

Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
180 A
180 A
(Pd) Verlustleistung
880 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
1.400 mOhm 
Herstellergehäuse
C-Pack
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Rohm
Typ
  • SiC Power MOSFET Modul
Serie
  • BSM_
Verpackung
  • Lose
Montageart
  • Schraubmontage
Herstellergehäuse
  • C-Pack

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -40 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 1.200 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 1.200 V
  • 1.200 V
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 180 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 180 A
  • 180 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 22 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 22 V
  • 22 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 880 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 1.400 mOhm