IRF8707TRPBF
Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 11A 2,5W 11,9mOhm SO-8
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Planlieferzeit
--- Lebenszyklus
Der Lebenszyklus gibt an, in welcher Marktphase sich der Artikel befindet. Wir unterscheiden zwischen:
• Aktiv (grüne Ampel)
• NRND = Not Recommended for New Designs (gelbe Ampel)
• LTB = Last Time Buy (gelbe Ampel)
• EOL = End of Life (rote Ampel)
EOL 01.04.2025
Abgekündigt durch Hersteller mit Ersatz
Datenblatt
ECAD Modell
Staffelpreise
Hersteller-VPE 4000 Stück
Unter Hersteller-VPE versteht sich die kleinste Original-Verpackungseinheit des Herstellers.
Preis pro 1 Stück
Menge und Kaufoptionen
(mind. 50 Stück oder ein Vielfaches von 50)
Alle Preise netto zzgl. MwSt. Bitte beachten Sie, dass wir nicht an private Endverbraucher liefern.
Steckbrief
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Id) Continuous Drain Current
- 11 A
- (Pd) Verlustleistung
- 2,5 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 11,9 mOhm
- Herstellergehäuse
- SO-8
- RoHS-Konform
Spezifikationen
Alle ausklappen
Betriebsbedingungen
- Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
- -55 °C
- Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
- 150 °C
- Lagertemperatur, min.
- -55 °C
- Lagertemperatur, max.
- 150 °C
Elektrische Eigenschaften
- (Uds) Drain-Source Spannung max.
- 30 V
- (Id) Continuous Drain Current
- 11 A
- (Ugs) Gate-Source Spannung
- 20 V
- Anzahl Kanäle
- 1
- Polung
- N-Kanal
- (Pd) Verlustleistung
- 2,5 W
- (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
- 11,9 mOhm
Dokumente
EOL_PD_349_24_EN.pdf
PCN_054_23_EN.pdf