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StartseiteProdukteDiskrete HalbleiterTransistorenMOSFETsMOSFETs, ZweifachIRF_IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF

Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 6,5A/4,9A 2,0W 98mOhm  SO-8

Abbildung ähnlich
Hersteller-Artikel-Nr.
IRF7319TRPBF
Schukat-Artikel-Nr.
IRF7319PBF-GURT
Hersteller
Infineon
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Aktiv
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
2
Polung
N-Kanal/P-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
6,5 A / 4,9 A
6,5 A / 4,9 A
(Pd) Verlustleistung
2 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
98 mOhm 
Herstellergehäuse
SO-8
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle ausklappen

Allgemein

Hersteller
  • Infineon
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • IRF_
Warengruppe
  • U8732
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 8
Herstellergehäuse
  • SO-8
Hinweis
  • ehemals International Rectifier (IR)

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur, min.
  • -55 °C
Betriebstemperatur, max.
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max. Q2
  • -30 V
(Uds) Drain-Source Spannung max. Q1
  • 30 V
(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 30 V / -30 V
  • 30 V / -30 V
(Id) Continuous Drain Current Q2
  • 4,9 A
(Id) Continuous Drain Current Q1
  • 6,5 A
(Id) Continuous Drain Current
  • 6,5 A / 4,9 A
  • 6,5 A / 4,9 A
(Ugs) Gate-Source Spannung Q2
  • 20 V
(Ugs) Gate-Source Spannung Q1
  • 20 V V
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V / 20 V
  • 20 V / 20 V
Anzahl Kanäle
  • 2
Polung
  • N-Kanal/P-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 2 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 98 mOhm 

Dokumente

PCN_2024-072-A_EN.pdf
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