IRF5803TRPBF

Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,4A 2W 112mOhm  TSOP-6

IRF5803TRPBF
Hersteller-Artikel-Nr.
IRF5803TRPBF
Schukat-Artikel-Nr.
IRF5803TRPBF
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EOL 01.01.2026
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
P-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
-3,4 A
(Pd) Verlustleistung
2 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
112 mOhm 
Herstellergehäuse
TSOP-6
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle zuklappen

Allgemein

Hersteller
  • Infineon
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • IRF_
Warengruppe
  • U8742
Verpackung
  • Rolle
Montageart
  • SMD/SMT
Pinanzahl
  • 6
Herstellergehäuse
  • TSOP-6

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • -40 V
(Id) Continuous Drain Current
  • -3,4 A
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
  • -3 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • P-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 2 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 112 mOhm 
(Qg) Gateladung
  • 25 nC

Dokumente

EOL_cPD_194_25A_EN.pdf
EOL_PD_194_25_EN.pdf