IPP60R099C6XKSA1

Infineon THT Power MOSFET N-Kanal 37,9A 278W 99mOhm  TO-220

IPP60R099C6
Hersteller-Artikel-Nr.
IPP60R099C6XKSA1
Schukat-Artikel-Nr.
IPP60R099C6
Hersteller
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Steckbrief

Anzahl Kanäle
1
Polung
N-Kanal
(Id) Continuous Drain Current
37,9 A
(Pd) Verlustleistung
278 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
99 mOhm 
Herstellergehäuse
TO-220
RoHS-Konform

Spezifikationen

Alle zuklappen

Allgemein

Hersteller
  • Infineon
Typ
  • Power MOSFET
Serie
  • IPP_
Warengruppe
  • U8312
Verpackung
  • Stange
Montageart
  • THT
Pinanzahl
  • 3
Herstellergehäuse
  • TO-220

Betriebsbedingungen

Sperrschichttemperatur, min. (TJ)
  • -55 °C
Sperrschichttemperatur, max. (TJ)
  • 150 °C
Lagertemperatur, min.
  • -55 °C
Lagertemperatur, max.
  • 150 °C

Elektrische Eigenschaften

(Uds) Drain-Source Spannung max.
  • 600 V
(Id) Continuous Drain Current
  • 37,9 A
(Ugs) Gate-Source Spannung
  • 20 V
Anzahl Kanäle
  • 1
Polung
  • N-Kanal
(Pd) Verlustleistung
  • 278 W
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
  • 99 mOhm