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26 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7389TRPBF(IRF7389PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 7,3A/-5,3A 2,5W 98mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 1.500 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 98.0 mOhm | 30 V / -30 V | 7,3 A / -5,3 A | 2.5 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||
27 | Hersteller-Artikel-Nr. IRL6372TRPBF(IRL6372PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 8,1A 2,0W 23mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 1.900 Stück Planlieferzeit Ø 12 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 23.0 mOhm | 30 V | 8,1 A | 2.0 W | 12 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||
28 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM110NB04DCR RLG(TSM110NB04DCR) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 48A 48W 17,2mOhm PDFN56-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.250 Stück Planlieferzeit Ø 20 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56-8 | 17.2 mOhm | 40 V | 48 A | 48.0 W | 20 V | 25 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||
29 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM300NB06DCR RLG(TSM300NB06DCR) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 25A 40W 42,3mOhm PDFN56-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.500 Stück Planlieferzeit Ø 28 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56-8 | 42.3 mOhm | 60 V | 25 A | 40.0 W | 20 V | 17 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||
30 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM150NB04DCR RLG(TSM150NB04DCR) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 38A 40W 28,6mOhm PDFN56-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.450 Stück Planlieferzeit Ø 20 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56-8 | 28.6 mOhm | 40 V | 38 A | 40.0 W | 20 V | 18 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||
31 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7380TRPBF(IRF7380PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 3,6A 2,0W 73mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.550 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 73.0 mOhm | 80 V | 3,6 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||
32 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF9952TRPBF(IRF9952PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 3,5A/-2,3A 2,0W 400mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.600 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 400.0 mOhm | 30 V / -30 V | 3,5 A / -2,3 A | 2.0 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||
33 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7341TRPBFXTMA1(IRF7341PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 4,7A 2,0W 65mOhm SO-8 TOP | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 60.300 Stück Planlieferzeit Ø 30 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 65.0 mOhm | 55 V | 4,7 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||
34 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7105TRPBF(IRF7105PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 3,5A/-2,3A 2,0W 400mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 7.100 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 400.0 mOhm | 25 V / -25 V | 3,5 A / -2,3 A | 2.0 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||
35 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM2N7002AKDCU6 RFG(TSM2N7002AKDCU6RFG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 0,22A 0,24W 3.000mOhm SOT-363 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.900 Stück Planlieferzeit Ø 20 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 3000.0 mOhm | 60 V | 0,22 A | 0.24 W | 20 V | 0,91 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||
36 | Hersteller-Artikel-Nr. 2N7002DWH6327XTSA1(2N7002DWH6327XTSA1) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 0,3A 0,5W 4.000mOhm SOT-363 AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.900 Stück Planlieferzeit Ø 40 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 4000.0 mOhm | 60 V | 0,3 A | 0.5 W | 20 V | 2,1 V | 0,4 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||
37 | Hersteller-Artikel-Nr. IRFHS9351TRPBF(IRFHS9351TRPBF) Infineon SMD/SMT Power MOSFET -3,4A 1,4W 290mOhm PQFN-6 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.700 Stück Planlieferzeit Ø 50 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | 2.0 | SMD/SMT | PQFN-6 | 290.0 mOhm | -30 V | -3,4 A | 1.4 W | 20 V | -1,8 V | 1,9 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||
38 | Hersteller-Artikel-Nr. IRLHS6276TRPBF(IRLHS6276TRPBF) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 3,4A 6,6W 62mOhm PQFN-6 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.950 Stück Planlieferzeit Ø 14 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PQFN-6 | 62.0 mOhm | 20 V | 3,4 A | 6.6 W | 12 V | 0,8 V | 3,1 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||
39 | Hersteller-Artikel-Nr. IRLHS6376TRPBF(IRLHS6376TRPBF) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 6,6W 82mOhm PQFN-6 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.950 Stück Planlieferzeit Ø 14 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PQFN-6 | 82.0 mOhm | 30 V | 6.6 W | 12 V | 0,8 V | 2,8 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||
40 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM110NB04DCR RLG(TQM110NB04DCR RLG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 50A 58W 11mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.000 Stück Planlieferzeit Ø 24 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56U Dual | 11.0 mOhm | 40 V | 50 A | 58.0 W | 20 V | 2,5 V | 26 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 175.0 °C | ||||||
41 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM076NH04DCR RLG(TQM076NH04DCR RLG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT PerFET Power MOSFET N-Kanal 40A 55,6W 7,6mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.000 Stück Planlieferzeit Ø 36 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | PerFET Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56U Dual | 7.6 mOhm | 40 V | 40 A | 55.6 W | 20 V | 3 V | 19 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 175.0 °C | ||||||
42 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM076NH04LDCR RLG(TQM076NH04LDCR RLG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT PerFET Power MOSFET N-Kanal 40A 55,6W 7,6mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.000 Stück Planlieferzeit Ø 20 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | PerFET Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56U Dual | 7.6 mOhm | 40 V | 40 A | 55.6 W | 16 V | 1,8 V | 10,7 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 175.0 °C | ||||||
43 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM150NB04DCR RLG(TQM150NB04DCR RLG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 39A 48W 15mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 28 Wochen Lieferbar auf Bestellung | (mind. 5000 Stück o. ein Vielf. von 2500) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56U Dual | 15.0 mOhm | 40 V | 39 A | 48.0 W | 20 V | 18 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 175.0 °C | |||||||
44 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM300NB06DCR RLG(TQM300NB06DCR RLG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 25A 48W 30mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 20 Wochen Lieferbar auf Bestellung | (mind. 5000 Stück o. ein Vielf. von 2500) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56U Dual | 30.0 mOhm | 60 V | 25 A | 48.0 W | 20 V | 20 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 175.0 °C | |||||||
45 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM250NB06DCR RLG(TQM250NB06DCR RLG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 30A 58W 25mOhm PDFN56U Dual AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 28 Wochen Lieferbar auf Bestellung | (mind. 5000 Stück o. ein Vielf. von 2500) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56U Dual | 25.0 mOhm | 60 V | 30 A | 58.0 W | 20 V | 24 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 175.0 °C | |||||||
46 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM138KDCU6 RFG(TQM138KDCU6 RFG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,32A 0,32W 1.600mOhm SOT-363 AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.900 Stück Planlieferzeit Ø 24 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 1600.0 mOhm | 60 V | 0,32 A | 0.32 W | 20 V | 0,9 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||
47 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM2N7002KDCU6 RFG(TQM2N7002KDCU6 RFG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,33A 0,337W 1.600mOhm SOT-363 AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.500 Stück Planlieferzeit Ø 24 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 1600.0 mOhm | 60 V | 0,33 A | 0.337 W | 20 V | 0,9 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||
48 | Hersteller-Artikel-Nr. TQM84KDCU6 RFG(TQM84KDCU6 RFG) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Small Signal MOSFET P-Kanal -0,17A 0,32W 6.000mOhm SOT-363 AEC-Q101 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 5.800 Stück Planlieferzeit Ø 24 Wochen Lieferbar (ab Lager) | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Taiwan Semiconductor | P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 6000.0 mOhm | -60 V | -0,17 A | 0.32 W | 20 V | 1 nC | AEC-Q101 | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C |