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(Ugs) Gate-Source Spannung
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| Auswahl anzeigen | Abbildung | Artikel-Nr. | Indiv. Artikel-Nr. | Hersteller | Preis | Verfügbarkeit | Menge | Serie | Datenblatt | RoHS | Typ | Hersteller | Montageart | Herstellergehäuse | Anzahl Kanäle | Polung | (Id) Continuous Drain Current | (Pd) Verlustleistung | Drain-Source Widerstand max. | (Uds) Drain-Source Spannung max. | (Ugs) Gate-Source Spannung | Verpackung | Betriebstemperatur, min. | Betriebstemperatur, max. | (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
01 |  | Hersteller-Artikel-Nr. BSM080D12P2C008(BSM080D12P2C008) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 80A 600W 3,0Ohm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 4 Stück o. ein Vielf. von 4) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | C-Pack | 2.0 | N-Kanal | 80 A | 600.0 W | 3.0 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | 1,6 V | |||||
02 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM120C12P2C201(BSM120C12P2C201) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 134A 935W 1,8Ohm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 10 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | C-Pack | 1.0 | N-Kanal | 134 A | 935.0 W | 1.8 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
03 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM120D12P2C005(BSM120D12P2C005) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 134A 935W 1,8Ohm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | C-Pack | 2.0 | N-Kanal | 134 A | 935.0 W | 1.8 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
04 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180C12P3C202(BSM180C12P3C202) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 180A 880W 1,4Ohm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | C-Pack | 1.0 | N-Kanal | 180 A | 880.0 W | 1.4 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
05 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180D12P2C101(BSM180D12P2C101) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 204A 1.360W 1,15Ohm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | C-Pack | 2.0 | N-Kanal | 204 A | 1360.0 W | 1.15 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
06 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180D12P2E002(BSM180D12P2E002) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 204A 1.360W 1,2Ohm E-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 32 Wochen | (mind. 4 Stück o. ein Vielf. von 4) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | E-Pack | 2.0 | N-Kanal | 204 A | 1360.0 W | 1.2 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
07 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM180D12P3C007(BSM180D12P3C007) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 180A 880W 1,4Ohm C-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | C-Pack | 2.0 | N-Kanal | 180 A | 880.0 W | 1.4 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
08 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM300C12P3E201(BSM300C12P3E201) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 300A 1.360W 0,9Ohm E-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4 Stück Planlieferzeit Ø 30 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | E-Pack | 1.0 | N-Kanal | 300 A | 1360.0 W | 0.9 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
09 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM300D12P2E001(BSM300D12P2E001) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 300A 1.875W 1,6Ohm E-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | E-Pack | 2.0 | N-Kanal | 300 A | 1875.0 W | 1.6 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
10 | | Hersteller-Artikel-Nr. BSM600D12P3G001(BSM600D12P3G001) Rohm SiC Power MOSFET Modul N-Kanal 576A 2.450W 1,4Ohm G-Pack | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 34 Wochen | (mind. 12 Stück o. ein Vielf. von 12) | SiC Power MOSFET Modul | Rohm | Schraubmontage | G-Pack | 2.0 | N-Kanal | 576 A | 2450.0 W | 1.4 Ohm | 1.200 V | 22 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C | ||||||
11 | | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 22 Wochen | (mind. 1 Stück o. ein Vielf. von 1) | Chassisbefestigung | Y3-Li | 1.0 | N-Kanal | 85 A | 0.076 Ohm | 900 V | 20 V | Lose | -40.0 °C | 150.0 °C |