Artikel filtern
Aktive Filter Alle Filter zurücksetzen
Typ
Typ
Hersteller
Hersteller
Serie
Serie
Polung
Polung
Anzahl Kanäle
Anzahl Kanäle
Montageart
Montageart
Herstellergehäuse
Herstellergehäuse
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand ...
(RDS(on)) Drain-Source Widerstand max.
(Uds) Drain-Source Spannung max.
(Uds) Drain-Source Spannung max.
(Id) Continuous Drain Current
(Id) Continuous Drain Current
(Pd) Verlustleistung
(Pd) Verlustleistung
(Ugs) Gate-Source Spannung
(Ugs) Gate-Source Spannung
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
(Ugs th) Gate-Source Schwellspannung
(Qg) Gateladung
(Qg) Gateladung
Qualifikation
Qualifikation
Verpackung
Verpackung
Betriebstemperatur, min.
Betriebstemperatur, min.
Betriebstemperatur, max.
Betriebstemperatur, max.
Lagertemperatur, min.
Lagertemperatur, min.
Lagertemperatur, max.
Lagertemperatur, max.
Aktive Filter Alle Filter zurücksetzen
Artikel (51)
Nicht abgekündigt
Auf Lager
RoHS konform
Datenblatt
Neu
Auswahl anzeigen | Abbildung | Artikel-Nr. | Indiv. Artikel-Nr. | Hersteller | Preis | Verfügbarkeit | Menge | Serie | Datenblatt | RoHS | Typ | Hersteller | Polung | Anzahl Kanäle | Montageart | Herstellergehäuse | (RDS(on)) Drain-Source Widerstand max. | (Uds) Drain-Source Spannung max. | (Id) Continuous Drain Current | (Pd) Verlustleistung | (Ugs) Gate-Source Spannung | (Ugs th) Gate-Source Schwellspannung | (Qg) Gateladung | Qualifikation | Verpackung | Betriebstemperatur, min. | Betriebstemperatur, max. | Lagertemperatur, min. | Lagertemperatur, max. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
01 | Hersteller-Artikel-Nr. SI4532CDY-T1-GE3(SI4532CDY-GE3) Vishay SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 6A/-4,3A 1,78W 140mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.300 Stück Planlieferzeit Ø 100 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Vishay | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 140.0 mOhm | 30 V / -30 V | 6 A / -4,3 A | 1.78 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
02 | Hersteller-Artikel-Nr. SI4925DDY-T1-GE3(SI4925DDY-GE3) Vishay SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal 8A 2,5W 41mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.200 Stück Planlieferzeit Ø 50 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Vishay | P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 41.0 mOhm | -30 V | 8 A | 2.5 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
03 | Hersteller-Artikel-Nr. FDS8858CZ(FDS8858CZ) Onsemi SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 8,6A/-7,3A 2,0W 345mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 1.050 Stück Planlieferzeit Ø 50 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Onsemi | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 345.0 mOhm | 30 V / -30 V | 8,6 A / -7,3 A | 2.0 W | 20 V / 25 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
04 | Hersteller-Artikel-Nr. IRL6372TRPBF(IRL6372PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 8,1A 2,0W 23mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.450 Stück Planlieferzeit Ø 12 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 23.0 mOhm | 30 V | 8,1 A | 2.0 W | 12 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
05 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM300NB06DCR RLG(TSM300NB06DCR) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 25A 40W 42,3mOhm PDFN56-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.475 Stück Planlieferzeit Ø 29 Wochen | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56-8 | 42.3 mOhm | 60 V | 25 A | 40.0 W | 20 V | 17 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||||
06 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM150NB04DCR RLG(TSM150NB04DCR) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 38A 40W 28,6mOhm PDFN56-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.450 Stück Planlieferzeit Ø 21 Wochen | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56-8 | 28.6 mOhm | 40 V | 38 A | 40.0 W | 20 V | 18 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||||
07 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM250NB06DCR RLG(TSM250NB06DCR) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 30A 48W 31,6mOhm PDFN56-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.475 Stück Planlieferzeit Ø 21 Wochen | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | PDFN56-8 | 31.6 mOhm | 60 V | 30 A | 48.0 W | 20 V | 22 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||||
08 | Hersteller-Artikel-Nr. TSM4946DCS RLG(TSM4946DCS) Taiwan Semiconductor SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 4,5A 2,4W 75mOhm SOP-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.475 Stück Planlieferzeit Ø 29 Wochen | (mind. 25 Stück o. ein Vielf. von 25) | Power MOSFET | Taiwan Semiconductor | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOP-8 | 75.0 mOhm | 60 V | 4,5 A | 2.4 W | 20 V | 21 nC | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | ||||||||||
09 | Hersteller-Artikel-Nr. FDC6561AN(FDC6561AN) Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 2,5A 0,96W 152mOhm TSOT-23 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 6.400 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Onsemi | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | TSOT-23 | 152.0 mOhm | 30 V | 2,5 A | 0.96 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
10 | Hersteller-Artikel-Nr. FDC3601N(FDC3601N) Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 1A 0,96W 976mOhm TSOT-23 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.800 Stück Planlieferzeit Ø 55 Wochen | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Onsemi | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | TSOT-23 | 976.0 mOhm | 100 V | 1 A | 0.96 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
11 | Hersteller-Artikel-Nr. FDG8850NZ(FDG8850NZ) Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,75A 0,36W 600mOhm SOT-363 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 2.200 Stück Planlieferzeit Ø 50 Wochen | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Onsemi | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 600.0 mOhm | 30 V | 0,75 A | 0.36 W | 12 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
12 | Hersteller-Artikel-Nr. FDG6301N(FDG6301N) Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,22A 0,3W 7.000mOhm SOT-363 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 3000 Stück o. ein Vielf. von 3000) | Small Signal MOSFET | Onsemi | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SOT-363 | 7000.0 mOhm | 25 V | 0,22 A | 0.3 W | 8 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
13 | Hersteller-Artikel-Nr. FDC6420C(FDC6420C) Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal/P-Kanal 3A/-2,2A 0,96W 190mOhm TSOT-23 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 1.500 Stück Planlieferzeit Ø 120 Wochen | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Onsemi | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | TSOT-23 | 190.0 mOhm | 20 V / -20 V | 3 A / -2,2 A | 0.96 W | 12 V / 12 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
14 | Hersteller-Artikel-Nr. NDC7002N(NDC7002N) Onsemi SMD/SMT Small Signal MOSFET N-Kanal 0,51A 0,96W 4.000mOhm TSOT-23 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 4.400 Stück Planlieferzeit Ø 70 Wochen | (mind. 100 Stück o. ein Vielf. von 100) | Small Signal MOSFET | Onsemi | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | TSOT-23 | 4000.0 mOhm | 50 V | 0,51 A | 0.96 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
15 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7341TRPBFXTMA1(IRF7341PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 4,7A 2,0W 65mOhm SO-8 TOP | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 10.077 Stück | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 65.0 mOhm | 55 V | 4,7 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
16 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7303TRPBF(IRF7303PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 4,9A 2,0W 80mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 7.100 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 80.0 mOhm | 30 V | 4,9 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
17 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7105TRPBF(IRF7105PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 3,5A/-2,3A 2,0W 400mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 7.250 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 400.0 mOhm | 25 V / -25 V | 3,5 A / -2,3 A | 2.0 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
18 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7306TRPBF(IRF7306PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,6A 2,0W 160mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.500 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 160.0 mOhm | -30 V | -3,6 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
19 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7309TRPBF(IRF7309PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 4A/-3A 1,4W 160mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.250 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 160.0 mOhm | 30 V / -30 V | 4 A / -3 A | 1.4 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
20 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7313TRPBF(IRF7313PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal 6,5A 2,0W 46mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 9.450 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 46.0 mOhm | 30 V | 6,5 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
21 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7328TRPBF(IRF7328PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -8A 2,0W 32mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 0 Stück Planlieferzeit Ø 50 Wochen | (mind. 4000 Stück o. ein Vielf. von 4000) | Power MOSFET | Infineon | P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 32.0 mOhm | -30 V | -8 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
22 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7324TRPBF(IRF7324PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -9A 2,0W 26mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 7.050 Stück Planlieferzeit Ø 12 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 26.0 mOhm | -20 V | -9 A | 2.0 W | 12 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
23 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7342TRPBF(IRF7342PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET P-Kanal -3,4A 2,0W 170mOhm SO-8 TOP | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 13.850 Stück | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 170.0 mOhm | -55 V | -3,4 A | 2.0 W | 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
24 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7319TRPBF(IRF7319PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 6,5A/4,9A 2,0W 98mOhm SO-8 | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 3.100 Stück Planlieferzeit Ø 10 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 98.0 mOhm | 30 V / -30 V | 6,5 A / 4,9 A | 2.0 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C | |||||||||||
25 | Hersteller-Artikel-Nr. IRF7343TRPBF(IRF7343PBF-GURT) Infineon SMD/SMT Power MOSFET N-Kanal/P-Kanal 4,7A/-3,4A 2,0W 170mOhm SO-8 TOP | Kunden-Artikel-Nr. Kunden-Projekt-Nr. | 25.450 Stück Planlieferzeit Ø 50 Wochen | (mind. 50 Stück o. ein Vielf. von 50) | Power MOSFET | Infineon | N-Kanal/P-Kanal | 2.0 | SMD/SMT | SO-8 | 170.0 mOhm | 55 V / -55 V | 4,7 A / -3,4 A | 2.0 W | 20 V / 20 V | Rolle | -55.0 °C | 150.0 °C |